III族窒化物系化合物半導体発光素子用の基板の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398451
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197963
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィのような工数のかかる方法を採用することなく、簡易な方法で光取り出し効率の高い基板の製造方法を提供する。【解決手段】粗研磨により基板の表面を粗面化し、次に、その粗面の凸部の頂部を除去して平坦化し、もって基板の表面に台形断面の凹凸を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の表面を粗面化する第1の工程(フォトリソ工程を除く)と、前記粗面の凸部の頂部を除去して平坦化する第2の工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物系化合物半導体発光素子用の基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323 610 , H01L 21/302 C

Fターム (31件)：

5F004BA04 , 5F004DA11 , 5F041AA04 , 5F041CA13 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA18 , 5F041DA26 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB08 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F073AA55 , 5F073CA01 , 5F073CB05 , 5F073CB06 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA24

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