特許

J-GLOBAL ID：200903091527167427

テラヘルツ電磁波発生装置

発明者： 萩行 正憲 ,  中嶋 誠 ,  谷 正彦
出願人/特許権者： 関西電力株式会社 ,  萩行 正憲
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-334766
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101401
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 超短光パルスを照射して発生するテラヘルツ電磁波を、高い出力で空気中に出射させることができるテラヘルツ電磁波発生装置を提供する。【解決手段】 屈折率nを有し、励起パルス光5を照射されてテラヘルツ電磁波7を発生する半導体1と、屈折率0.7n〜1.3nを有し、上記の半導体に接して覆い、表面において気体に面し、気体側に向って凸状の、絶縁体からなる凸状電磁波部材3とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

屈折率nを有し、励起パルス光を照射されてテラヘルツ電磁波を発生する半導体と、 屈折率0.7n〜1.3nを有し、前記半導体に接して覆い、表面において気体に面し、気体に向って凸状の、絶縁体からなる凸状電磁波部材とを有するテラヘルツ電磁波発生装置。

IPC (1件)：

H01S1/02

FI (1件)：

H01S1/02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3243510号公報
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Terahertz radiation from InAs surfaces with MgO lens coupler
• The 11th IEEE International Conference on Terahertz Electronics HP: Photos (Poster Session II: P2-12, 20030925