半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192601
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045289
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】タングステン(W)のドライエッチング方法に関し,エッチング速度を向上させると共に,対下地絶縁膜選択比および対レジスト選択比を向上させる。【構成】エッチャントガスとして塩素(Cl2 )ガスのみを用いる。

請求項（抜粋）：

タングステンのドライエッチング方法であって,エッチャントガスとして塩素ガスのみを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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