特許
J-GLOBAL ID：200903091539097530
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080548
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275855
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 チップ面積を増大することなく半導体パワーデバイスのドレイン・ソース間耐圧の外周部分での劣化を防ぐ。【解決手段】 セルトランジスタ領域を取り囲む溝により、チップの外周部における拡散層のエッジ部を除去する。
請求項（抜粋）：
装置の裏面にドレイン電極、表面にソース電極を有する複数のトランジスタが形成される半導体装置において、装置のトランジスタ領域の外周を取巻く外周溝を有し、装置の基板に平行な平面状をなすPN接合面が前記外周溝によって切断されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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