特許
J-GLOBAL ID：200903091540817821
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396997
公開番号（公開出願番号）：特開2003-193242
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 高周波電力によって生起されたプラズマを用いて高速な処理速度で大面積の基体を均一にプラズマ処理し、膜厚、膜質共に均一な堆積膜を高速で形成する。【解決手段】 プラズマ処理装置は少なくとも一部が導電性部材1110で構成された反応容器と、反応容器の外に設置した複数の高周波電極1118と、高周波電力を複数の高周波電極1118の各々に分岐して印加する高周波分岐部材1119と、高周波の電磁波を遮蔽する電磁波シールド部材1131とを有している。プラズマ処理装置は、高周波分岐部材1119と上部シールド部材1132との間隔をd1、高周波分岐部材1119と導電性部材1110との間隔をd2、高周波分岐部材1119の直径をRとしたとき、0.05≦d2/R≦0.150.3≦d2/(d1+d2)≦0.7の2つの条件を満たすように構成されている。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部が導電性部材で構成された減圧可能な反応容器中に設置された被処理基体と、前記反応容器の外に設置された複数の高周波電極と、高周波電力を前記複数の高周波電極の各々に分岐して印加する高周波分岐部材と、高周波の電磁波を遮蔽する上部シールド部材とを有し、前記複数の高周波電極に印加した前記高周波電力によって、前記反応容器中に導入したガスを分解してプラズマを形成し、前記被処理基体を処理するプラズマ処理装置において、前記高周波分岐部材は、前記上部シールド部材と前記導電性部材との間に配設されており、前記高周波分岐部材の直径をR、前記高周波分岐部材と前記上部シールド部材との間隔をd1、前記高周波分岐部材と前記導電性部材との間隔をd2としたとき、0.05≦d2/R≦0.150.3≦d2/(d1+d2)≦0.7の2つの条件を満たすことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
C23C 16/509
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
C23C 16/509
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
2H068DA00
, 2H068EA24
, 4K030FA03
, 4K030JA03
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030KA08
, 4K030KA12
, 4K030KA46
, 4K030LA17
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AD06
, 5F045AE17
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045BB09
, 5F045CA16
, 5F045DA65
, 5F045EH06
, 5F045EH15
, 5F045EH19
