特許

J-GLOBAL ID：200903091542222353

半導体装置の製造方法

発明者： 西川 伸之 ,  鈴木 寿哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168073
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】誘電体膜の上に金属膜を成長する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、導電膜の成長時に誘電体膜の膜質の劣化を防止し、誘電体膜のリーク電流を小さくすること。【解決手段】誘電体膜5の膜質改善処理の後に、誘電体膜5の表面を酸化性ガスを含む減圧雰囲気に曝し、金属又は窒化金属よりなる誘電膜6を成長するための第一の反応ガスと第二の反応ガスを減圧雰囲気に供給することにより、誘電体膜5上に第一の反応ガスと第二の反応ガスと酸化性ガスとの反応によって導電膜6を形成し、その形成の途中で酸化性ガスを停止又は低減することを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に誘電体膜を形成する工程と、前記半導体基板に酸化性ガスを導入する工程と、前記酸化性ガス中に金属又は金属窒化物を成長する第1の反応ガスと第2の反応ガスを導入する工程と、ついで、前記酸化性ガスを減少させ、前記第1の反応ガス及び前記第2の反応ガスにより、前記誘電体膜上に前記金属又は前記金属窒化物を含む導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/02 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/02 ,  H01L 27/04 C