特許

J-GLOBAL ID：200903091547407165

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 植木 伸明 ,  上柳 喜一 ,  瀬古 保次 ,  中山 秀生 ,  福永 秀樹
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-149328
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102596
出願日： 1991年05月27日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】直列抵抗を下げる目的でクラッド層のキャリア濃度を高くした場合でも、不純物拡散による無秩序化技術を適用可能とし、直列抵抗及びしきい値電流の低下を同時に達成することが可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】第1クラッド層3と、この第1クラッド層3上に積層された活性層4と、この活性層上に積層された第2クラッド層5と、この第2クラッド層上に積層され、且つ当該第2クラッド層よりもキャリア濃度の高い第3クラッド層6とを備え、この第3クラッド層をメサ・ストライプ形状8に形成するとともに、このメサ・ストライプ形状の第3クラッド層6の両側に、前記第2クラッド層5の上面から前記活性層4に達する不純物拡散領域を設けるように構成した。

請求項（抜粋）：

第1クラッド層と、この第1クラッド層上に積層された活性層と、この活性層上に積層された第2クラッド層と、この第2クラッド層上に積層され、且つ当該第2クラッド層よりもキャリア濃度の高い第3クラッド層とを備え、この第3クラッド層をメサ・ストライプ形状に形成するとともに、このメサ・ストライプ形状の第3クラッド層の両側に、前記第2クラッド層の上面から前記活性層に達する不純物拡散領域を設けたことを特徴とする半導体レーザ。