特許

J-GLOBAL ID：200903091547412282

イオン加工装置

発明者： 近藤 隆彦 ,  小泉 康浩
出願人/特許権者： 新明和工業株式会社
代理人 (1件)： 角田 嘉宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181830
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 プラズマの消滅を防止することが可能なイオン加工装置を提供する。【解決手段】 その内部で加工物質を用いて基材にイオン加工を行うためのチャンバ1と、チャンバ1内に配設され基材が装着される一方の極性の電極2と、チャンバ1内にプラズマを発生するよう一方の極性の電極2と他方の極性の電極(1)との間に高周波電力を与える高周波電源3と、プラズマにより励起された加工物質が基材に向かうよう一方の極性の電極2と他方の極性の電極(1)との間にバイアス電圧を与える直流電源4と、バイアス電圧を与える回路中に介挿され、高周波電力が直流電源4に印加されるのを実質的に阻止するに足るインダクタンス以上のインダクタンスを有する誘導性回路素子L2とを備えている。

請求項（抜粋）：

その内部で加工物質を用いて基材にイオン加工を行うためのチャンバと、該チャンバ内にプラズマを発生するよう高周波電力を与える高周波電源と、上記チャンバ内に配設され上記基材が装着される一方の極性の電極と、上記プラズマにより励起された加工物質が上記基材に向かうよう上記一方の極性の電極と他方の極性の電極との間にバイアス電圧を与える直流電源と、上記バイアス電圧を与える回路中に介挿され、上記高周波電力が上記直流電源に印加されるのを実質的に阻止するに足るインダクタンス以上のインダクタンスを有する誘導性回路素子とを備えたイオン加工装置。

IPC (3件)：

C23C 14/32 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23C 14/32 B ,  C23F 4/00 C ,  H05H 1/46 M

Fターム (6件)：

4K029CA03 ,  4K029DD02 ,  4K057DA16 ,  4K057DM16 ,  4K057DM28 ,  4K057DM40