特許

J-GLOBAL ID：200903091552674724

酸化物結晶薄膜の製造方法及び薄膜素子

発明者： 松永 宏典 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012494
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上にc軸配向のBi4 Ti3 O12薄膜を再現性よく作成するためのバッファ層及び優れた強誘電性を有する酸化物結晶薄膜の製造方法及び薄膜素子を提供する。【構成】 シリコン基板2上にビスマスシリケート薄膜からなるバッファ層3を形成し、このバッファ層上に酸化物強誘電体薄膜Bi4 Ti3 O124を形成した。Bi4 Ti3 O12のc軸配向膜が再現性よく形成でき、c軸方向の極めて小さい抗電界と大きな自発分極を利用したデバイスの開発を行うことができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にビスマスシリケート薄膜からなるバッファ層を形成し、前記バッファ層上に酸化物強誘電体薄膜Bi4 Ti3 O12を形成する酸化物結晶薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

C30B 29/22 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22

FI (4件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z