特許

J-GLOBAL ID：200903091553785325

不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた記憶システム

発明者： 田 中 智 晴 ,  百 冨 正 樹 ,  加 藤 秀 雄 ,  中 井 弘 人 ,  田 中 義 幸 ,  白 田 理一郎 ,  有 留 誠 一 ,  伊 藤 寧 夫 ,  岩 田 佳 久 ,  中 村 寛 ,  大 平 秀 子 ,  岡 本 豊 ,  浅 野 正 通 ,  徳 重 芳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076586
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 プログラムベリファイやイレーズベリファイに要する時間を短縮する。再書き込みや再イレーズしても、しきい値電圧が変化しすぎないようにする。【構成】 プログラム後及びイレーズ後に、プリチャージしたビット線の電位の変化から、プログラム及びイレーズが適正に行われたか否かを、全てのビット線について、カラムアドレスを変化させることなく、一括して判断する。再書き込みに当っては、一旦データが適正に書き込まれたメモリセルについては、再度データが書き込まれないようにするため、データレジスタ内のデータを変えて、再書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

外部から入力された書き込みデータを一時的に保持する複数のデータラッチ手段と、複数の前記データラッチ手段にそれぞれ対応して設けられ、書き込み動作時には、前記データラッチ手段に保持されたデータに応じて書き込み動作が行われる複数のメモリセルと、複数の前記データラッチ手段に対応して設けられ、前記書き込み動作に引き続いて、前記メモリセルより読み出したデータと、前記データラッチ手段に保持されたデータとを比較し、当該メモリセルに対し書き込みなされたか否かを判定する複数の比較手段と、複数の前記比較手段の全てが、それぞれ対応するメモリセルに対し書き込みがなされたと判定したときに、書き込み完了信号を出力する一括ベリファイ手段とを具備する不揮発性半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-110096
  
• 特開平4-082091
  
• 特開平2-142000
  
• 特開平4-082090