半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061238
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252406
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタが形成された大面積の基板の強度の向上、実質基板の軽量化、作製時の安全性の向上、歩留りの向上を図る。【構成】薄膜トランジスタが形成されていない側の基板面に補強材料を積層化する。

請求項（抜粋）：