特許
J-GLOBAL ID：200903091554731458
太陽電池およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082997
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 金属基板やガラス基板等の安価な基板上に、大きな結晶粒を有する良質な結晶性シリコン膜を形成して、太陽電池の光電変換効率を向上させる。【解決手段】 基板1上に、第1導電型非晶質シリコン膜を形成し、その表面にニッケルシリサイドを形成して加熱処理することにより、第1導電型の結晶性シリコン膜4を形成する。結晶性シリコン膜4表面に残ったニッケルシリサイドを除去して、その表面に第2導電型の結晶性シリコン膜6を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上に設けられた、ニッケルおよび、水素またはハロゲン元素を含む第1導電型の結晶性シリコン膜と、該第1導電型の結晶性シリコン膜の該基板側またはその反対側に設けられた第2導電型の結晶性シリコン膜とを具備する太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 21/20
