特許

J-GLOBAL ID：200903091561909572

超電導体一定電流間隔電圧ステップ素子及び超電導体装置

発明者： グスタボ アルバレス ,  榎本 陽一
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 沼形 義彰 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026823
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 酸化物超電導体ジョセフソン素子について、高磁場中での電流-電圧特性が特殊な特性、即ち、一定のバイアス電流間隔で電圧ステップを示すように、そして、この電圧ステップを応用する超電導体装置とする。【解決手段】 基板10上に形成された酸化物超電導体薄膜層と非超電導体薄膜層との積層構造30からなる酸化物超電導体素子で、磁場中での電流-電圧特性曲線は、一定のバイアス電流間隔で生じる電圧ステップを有する超電導体一定電流間隔電圧ステップ素子とする。上記積層構造30は、M ́Ba2Cu3O7薄膜(ここでM ́は、Nd、Sm、Euの1又は2以上の組合せの元素)とM′′Ba2Cu3O7薄膜(ここでM′′は、Pr、Sc又はこれらの組合せの元素)とを交互に堆積したものである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された酸化物超電導体薄膜層と非超電導体薄膜層との積層構造からなる酸化物超電導体素子であって、磁場中での電流-電圧特性曲線は、一定のバイアス電流間隔で生じる電圧ステップを有することを特徴とする超電導体一定電流間隔電圧ステップ素子。