特許
J-GLOBAL ID:200903091566107563

炭素膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷川 昌夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-254949
公開番号(公開出願番号):特開平9-095784
出願日: 1995年10月02日
公開日(公表日): 1997年04月08日
要約:
【要約】【課題】有機材料からなる被成膜基体上に炭素膜を密着性良好に形成できる炭素膜の形成方法を提供する。【解決手段】有機材料からなる被成膜基体Sをフッ素(F)含有ガス、水素(H2 )ガス及び酸素(O2 )ガスから選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝した後、基体S上に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法。
請求項(抜粋):
有機材料からなる被成膜基体をフッ素(F)含有ガス、水素(H2 )ガス及び酸素(O2 )ガスから選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝した後、該基体上に炭素膜を形成することを特徴とする炭素膜の形成方法。
IPC (5件):
C23C 16/02 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04
FI (6件):
C23C 16/02 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04 P ,  C30B 29/04 Q
引用特許:
審査官引用 (2件)

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