特許

J-GLOBAL ID：200903091568350040

薄膜形成方法及びエッチング方法

発明者： 真鍋 由雄 ,  三露 常男 ,  山崎 攻
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292870
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263363
出願日： 1985年10月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【構成】 内部に基板6を有する真空槽内に高周波電力導入部1から高周波電力を印加して基板6に薄膜を堆積させるにあたり、高周波電力導入部1と基板6との間に磁場強度が高周波電力の周波数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場強度であるプラズマ発生領域を形成するとともに、プラズマ発生領域より基板6側に磁場強度がほぼ一定なプラズマ領域を形成する構成となっている。【効果】 プラズマ室周辺へのECR放電による損傷を抑えることによって、プラズマ室周辺の構成物等からの不純物を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

内部に基板を有する真空槽内に高周波電力導入部から高周波電力を印加する工程と、前記高周波電力導入部と前記基板との間に磁場強度が高周波電力の周波数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場強度であるプラズマ発生領域を形成する工程と、前記プラズマ発生領域より前記基板側に磁場強度がほぼ一定なプラズマ領域を形成する工程と、前記真空槽内に成膜用ガスを導入し前記プラズマ領域内で前記成膜用ガスを励起またはイオン化し、この励起またはイオン化された粒子を前記基板上に堆積させる工程とを有する薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭50-009545
  
• 特開昭56-155535