特許
J-GLOBAL ID:200903091570324544

アクティブマトリクス基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-200602
公開番号(公開出願番号):特開平8-064830
出願日: 1994年08月25日
公開日(公表日): 1996年03月08日
要約:
【要約】【目的】 同一基板内に高移動度のTFTと良好なOFF特性を有するTFTとが形成されたアクティブマトリクス基板を製造工程を増加させることなく作成する。【構成】 アクティブマトリクス基板1上の表示部2には、マトリクス状に配設された画素電極107に接続されて画素TFT4が設けられている。また、アクティブマトリクス基板1上の駆動回路部3としてデータ信号出力回路および走査回路が形成されている。画素TFT4にはソース領域5およびドレイン領域7に接してボロンおよびリンが添加されたLDD領域10が形成されている。このLDD領域10は、データ信号出力回路および走査回路を構成するCMOSを形成するためのリンイオン注入工程およびボロンイオン注入工程により製造工程を増加させることなく形成することができる。
請求項(抜粋):
表示部にマトリクス状に表示用の画素電極が配設され、各画素電極へのデータ信号入力を制御する画素スイッチング素子が各画素電極に接続して設けられ、各画素スイッチング素子をオンオフ制御する走査信号用駆動回路部と、各画素スイッチング素子を介して画素電極へデータ信号を出力するデータ信号用駆動回路部とが設けられたアクティブマトリクス基板において、該走査信号用駆動回路およびデータ信号用駆動回路のスイッチング素子と該画素スイッチング素子が、ソース領域およびドレイン領域にリンが不純物添加された第1のトランジスタと、ソース領域およびドレイン領域にボロンが不純物添加された第2のトランジスタと、リンまたはボロンが添加されたソース領域およびドレイン領域のうち少なくとも一方のチャネル領域側に隣接してリンおよびボロンが添加された領域が設けられた第3のトランジスタとを有するアクティブマトリクス基板。
IPC (3件):
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336
FI (2件):
H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 L

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