特許

J-GLOBAL ID：200903091573307845

半導体ウエハの試験解析装置および解析方法

発明者： 石井 達也 ,  宮本 和俊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014898
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハ裏面からOBIC解析、および発光解析を実施できる試験解析装置を得る。【構成】 ウエハチャック21に半導体ウエハ20を取り付け、金属針45を設けたXYZ軸に可動なプローブカード44により、半導体ウエハ20のおもて面20bの各電極パッドにテスト用パルス信号を供給すると共に、半導体ウエハ20で発生した電流を電極パッドから検出し、光の照射、この照射した光の反射光の検出、さらには半導体ウエハ20で発生した光の検出等の光学的解析は光学顕微鏡鏡体30により半導体ウエハ20の裏面20a側から行うようにし、半導体ウエハ20を実際の動作状態にしてOBIC解析および発光解析等の不良箇所の解析を行うようにした。

請求項（抜粋）：

おもて面に多数の回路、金属配線および電極パッドが形成された半導体ウエハのための試験解析装置であって、被解析物である上記半導体ウエハのおもて面の各電極パッドに、半導体ウエハを動作状態にした状態で試験解析を行うためのテスト用パルス信号を供給すると共に、半導体ウエハで発生した電流を上記電極パッドから検出するテスト用パルス信号供給/電流検出手段と、上記半導体ウエハの裏面に光を照射し、またこの照射した光の上記裏面からの反射光および半導体ウエハで発生した光を裏面側から検出する光照射/検出手段と、を備え、半導体ウエハを動作状態にして裏面から光を照射して欠陥箇所等の検査、解析を行うことを特徴とする半導体ウエハの試験解析装置。