特許
J-GLOBAL ID：200903091578265040
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162660
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017171
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極の後酸化工程を伴いつつ、その影響により性能が劣化しないMOSFETを備えた半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板201上のゲート電極210に関し、その基板201側のポリシリコン207を、所定の厚みを有してソース,ドレイン領域211方向に延長させている。ポリシリコン207の延長部分207a下の基板201表面に低濃度N- 拡散層202が設けられ、これに連続して高濃度N+ 拡散層203が設けられ、これによりソース,ドレイン領域211が形成されている。後酸化膜204の食い込みによるゲート電極端部での応力に起因する結晶欠陥はソース,ドレイン領域211に発生するが、チャネル部には発生しない。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に所定の距離だけ離隔して設けられた2つの拡散層と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、かつ前記拡散層間に隣接して設けられたゲート電極部材とを備え、前記ゲート電極部材は、前記半導体基板側の部分を所定の厚さで前記拡散層方向に延長させ、このゲート電極部材の延長部分下の半導体基板表面に低濃度不純物領域が設けられ、この低濃度不純物領域に連続して高濃度不純物領域が設けられたソース,ドレイン領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
