特許
J-GLOBAL ID:200903091579637359

半導体集積回路装置とその電源供給方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 徳若 光政
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-190890
公開番号(公開出願番号):特開平7-038056
出願日: 1993年07月02日
公開日(公表日): 1995年02月07日
要約:
【要約】【目的】 プロセスバラツキや温度変化に対して実質的に低消費電力にできる電源供給を実現した半導体集積回路装置とその電源供給方法を提供する。【構成】 電源供給回路を内蔵させ、内部回路の動作速度に見合った動作電圧を形成するようにする。【効果】 内部回路に要求される動作速度に応じて動作電圧が設定されるので、プロセスバラツキや温度変化に対して必要最小の電圧で内部回路が動作するものとなるので合理的な電源供給が可能となる。
請求項(抜粋):
外部から供給された電源電圧を受けて、MOSFETにより構成されてなる内部回路に要求される動作速度に対応した電源電圧を形成する電源回路を内蔵してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-101159
  • 特開平3-038862
  • 特開平2-000350
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