特許

J-GLOBAL ID：200903091580362193

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高瀬 珠生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190517
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】接続孔の底部に段差部を生じても接続孔の内面を覆うバリアメタルの段差切れを生じないCu多層配線を具備する半導体装置を提供する。【解決手段】層間絶縁膜に形成される接続孔の底部において、拡散防止絶縁膜の開口部に露出した下層配線金属の上面を覆うように金属層を形成し、接続孔の底部における拡散防止絶縁膜開口部の横広がりにより生じる段差を実質的に小さくすることにより、接続孔の内面を覆うバリアメタルの段差切れによる下層配線金属の層間絶縁膜への拡散を防止することができる。また、拡散防止絶縁膜の開口部に生じる段差部を埋め込むように、電気伝導度が高く、かつ、下層配線金属の拡散防止効果の高い金属層を厚く形成することにより、下層配線金属の層間絶縁膜への拡散を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1層配線と、前記第1層配線上に形成された拡散防止絶縁膜と、前記拡散防止絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第2層配線と、前記拡散防止絶縁膜及び前記層間絶縁膜を介して、前記第1層配線及び前記第2層配線を互いに接続する接続孔と、前記接続孔の底部で、前記第1層配線の上面に接するように前記拡散防止絶縁膜の厚さ未満に形成された金属層と、少なくとも前記金属層の上面及び前記接続孔の内面に露出した前記層間絶縁膜の表面を覆う一続きのバリアメタルと、前記バリアメタルで覆われた前記接続孔の内部を満たすコンタクトプラグとを具備することを特徴とする半導体装置。

Fターム (33件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX28