マイクロ波プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077141
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】マイクロ波透過窓と、被処理物を載置するステージと、反応ガス放出口が複数、周方向に間隔をおいて形成された環状ガスノズルとを真空容器内に備えるとともに該真空容器内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴 (ECR) を生じる磁界領域を形成するソレノイドコイルが配置されたECR型プラズマ処理装置を、膜厚分布向上と成膜速度向上とを同時に達成可能な装置とする。【構成】反応ガス放出口31が形成される部位の環状ガスノズル30壁面の厚さを反応ガス放出口31より大きくし、ガス放出の方向に指向性をもたせる。

請求項（抜粋）：

軸線上にマイクロ波透過窓を有し、導入されたプラズマ生成ガスをプラズマ状態にする軸対称のプラズマ生成室と、プラズマ生成室と同軸に配置されプラズマ生成室内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴が生じる磁界領域を形成するソレノイドコイルと、プラズマ生成室内の前記マイクロ波透過窓と対面する側にプラズマ照射される被処理物を配置するためのステージとを備えるとともに、被処理物のマイクロ波透過窓側に反応ガスを供給するための反応ガス放出口がプラズマ生成室と同軸の環状ガスノズルの内径側側面に複数、周方向に間隔をおいて形成されたマイクロ波プラズマ処理装置において、ガス放出口が形成される環状ガスノズルの内径側壁面の厚さをガス放出口の直径より大きくしたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-014217
特開平3-158471
特開平4-136177

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