特許

J-GLOBAL ID：200903091586742273

光電変換素子の製造方法

発明者： 宮坂 力 ,  窪田 忠彦
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203787
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035549
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】エネルギー変換効率に優れ、光耐久性の改良された光電変換素子およびこれを用いた太陽電池を提供する。【解決手段】導電性支持体上に色素が吸着された半導体の微粒子を含有する感光層が塗設されてなる作用極と、電荷移動層および対極によって構成される色素増感された光電変換素子の製造において、作用極と電荷移動層、および対極を接合して一体化する素子組立て工程の少なくとも一部を、不活性ガスを主成分とし酸素濃度が7%以下の雰囲気中で実施する。

請求項（抜粋）：

導電性支持体上に色素が吸着された半導体の微粒子を含有する感光層が塗設されてなる作用極と、電荷移動層および対極を接合して一体化する素子組立て工程が、不活性ガスを主成分とし、酸素濃度が(外気中酸素濃度の3分の1以下である)7%以下の雰囲気中で行われる色素増感された光電変換素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (10件)：

5F051AA14 ,  5H032AA07 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH02 ,  5H032HH06