特許

J-GLOBAL ID：200903091587065810

三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 韓 正仁 ,  金 哲守 ,  金 元根
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027830
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085256
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 多結晶シリコン薄膜トランジスタのチャンネルコンダクタンスおよび電流駆動能力を向上することができる三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】 ソース電極とドレイン電極45との間に、これら電極とそれぞれオーミックコンタクトする半導体層44が形成されている。半導体層は、多数のシリコンストリップからなる多数のサブ半導体層で構成されている。多数のサブ半導体層は、それぞれゲート絶縁膜が前面を取囲んでいる。さらに、ゲート絶縁膜の外側にはゲート41が取囲んでいるので、ゲート電極で取囲んだ各サブ半導体層の全表層がチャンネル領域43に提供される。

請求項（抜粋）：

基板上に所定間隔をもって対向形成されたソースおよびドレイン電極と、それぞれの両端が前記ソースおよびドレイン電極とオーミックコンタクトされ、並列に配置された多数のサブ半導体層からなる半導体層と、前記各サブ半導体層の表面を取囲むゲート絶縁層と、前記各ゲート絶縁層を取囲むゲート電極とから構成されることを特徴とする、三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-144876
  
• 特開昭62-179160
  
• 特開昭60-094773