特許
J-GLOBAL ID：200903091588836305
インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015618
公開番号（公開出願番号）：特開平6-228745
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【目的】 スッパタリング期間中の突起発生を抑制し、安定して高い導電性を有するITO膜が得られるターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 実質的にインジウム・スズ及び酸素からなる焼結体であって、平均結晶粒径が30μm以上、相対密度が80%以上であるインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
実質的にインジウム・スズ及び酸素からなる焼結体であって、平均結晶粒径が30μm以上、相対密度が80%以上であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリングターゲット。
引用特許：
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