特許
J-GLOBAL ID:200903091589658893

半田付け方法及び半田付け装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 浩 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-183553
公開番号(公開出願番号):特開2001-058259
出願日: 2000年06月19日
公開日(公表日): 2001年03月06日
要約:
【要約】【課題】 フラックスを使用しない半田付けを実現し、かつボイドの発生を防止する。【解決手段】 開閉可能な真空室2内にヒーター14を配置し、真空室2内に収容された半田を有する被処理物10を半田の溶融温度以上に加熱する。遊離基ガス供給装置16によって真空室2内に水素ラジカルを導入する。
請求項(抜粋):
半田を有する被処理物が配置された真空室を真空状態に減圧する工程と、前記真空状態にある真空室の温度を、前記半田の溶融温度まで上昇させると共に前記半田の溶融温度に維持する加熱工程と、この加熱工程と並行して、前記真空室内に遊離基ガスを供給する工程とを、具備する半田付け方法。
IPC (7件):
B23K 1/008 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 31/02 310 ,  B23K 31/02 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 507 ,  B23K101:40
FI (8件):
B23K 1/008 B ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 31/02 310 B ,  B23K 31/02 310 C ,  B23K 31/02 310 H ,  H05K 3/34 507 J ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 H
引用特許:
審査官引用 (6件)
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