特許

J-GLOBAL ID：200903091590865142

バイポーラトランジスタ

発明者： 村 上 功 治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-156803
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353231
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 ベース引き出し層を低抵抗化することが可能なバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 本発明のバイポーラトランジスタは、ベース領域とベース電極とを接続するベース引き出し層13を備えており、ベース引き出し層13の少なくとも一部は、高融点金属シリサイド/高融点金属/高融点金属シリサイドからなる積層膜3で構成される。これにより、ポリシリコンでベース引き出し層を構成するよりも、低抵抗化が図れる。また、高融点金属層の上下に高融点金属シリサイド層を形成するため、絶縁膜5との密着性がよくなり、高融点金属層の膜剥がれが起きなくなる。さらに、積層膜3の最上層を高融点金属シリサイド層にしているため、その下の高融点金属層が酸素に直接触れるおそれはなく、酸化を確実に防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のベース領域とベース電極とを接続するベース引き出し層を備え、前記ベース引き出し層の少なくとも一部は、高融点金属シリサイドを材料とする第1層と、前記第1層の上面に形成され高融点金属を材料とする第2層と、前記第2層の上面に形成され高融点金属シリサイドを材料とする第3層と、からなる積層膜で構成されることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/732

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/72 S

Fターム (35件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB26 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD80 ,  4M104DD92 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG06 ,  4M104GG15 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F003BA26 ,  5F003BA97 ,  5F003BB05 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BP06 ,  5F003BP15 ,  5F003BP34 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08