特許

J-GLOBAL ID：200903091597445688

迅速なジアゾキノンポジレジスト

発明者： クリストフアー・ジヨン・ノーズ ,  ステイーブ・セイイチ・ミウラ ,  メルビン・ウオレン・モントゴメリー ,  ウエイン・マーテイン・モロー ,  ランドルフ・ジヨゼフ・スミス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-224411
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスの製造に際してサブミクロン級のパターンを作るための、ホトレジスト組成物に使用するポジホトレジスト組成物と方法とに関する。【構成】 このホトレジストはビスおよびトリス(モノ、ジおよびトリヒドロキシフェニル)アルカン類の、ナフトキノンジアジド4-および5-スルホン酸の混合エステルである増感剤を含んでいる。

請求項（抜粋）：

100重量部のフェノール-アルデヒド樹脂と18〜100重量部の溶解抑制剤との混合物から構成され、この溶解抑制剤はナフトキノンジアジド4-および5-スルホン酸の混合物とポリフェノールとのエステル化から導かれた混合エステルであり、前記ポリフェノールは〔Ph(OH)x〕yCR4-Yの式をもち、ここでPhはベンゼン環、xは1〜3の整数、yは2または3、そしてRは水素、フッ素、メチル、エチル、トリフルオロメチルまたはペンタフルオロエチルであり、前記溶解抑制剤はエステル化されているヒドロキシル基を80%以上有し、そして溶解抑制剤は10〜90モル%の4-スルホネートエステルと90〜10モル%の5-スルホネートエステルとを含有するものとし、ただしRがメチルでyが2であるとき、4-スルホネートエステルのモル%は10〜80である、ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平1-189644
  
• 特開昭58-145938
  
• 特開昭60-133446
  
• 特開昭61-007835
  
• 特開昭62-284354
  
• 特開平4-178451