特許

J-GLOBAL ID：200903091597912839

半導体レーザ装置

発明者： 佐々木 信夫
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227152
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068250
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 簡単・小型・安価な構成で、近赤外レーザ光と可視レーザ光とを同一光軸上に出射する。【解決手段】 可視レーザ光19を上側に出射する発光レーザチップ10と、近赤外レーザ光29を上側に出射する面発光レーザチップ20とを、それらの出射光軸が合致するようにして、ステムのベース50上に、チップ20の上にチップ10が位置するように積層し、近赤外レーザ光29がチップ10内で吸収されないようにして透過するようにする。

請求項（抜粋）：

近赤外半導体レーザチップと可視半導体レーザチップとを、両者の出射側が同一方向を向くようにするとともに、近赤外半導体レーザチップの出射側に可視半導体レーザチップが位置するようにし、かつ、それぞれの光共振器が同一光軸上に並ぶようにして、配列させたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  A61N 5/06 ,  A61B 17/36 350

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  A61N 5/06 E ,  A61B 17/36 350