特許
J-GLOBAL ID：200903091602942725
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337513
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176876
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 安価かつ小型であり、テープキャリアの歪みを抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】 チップ端子2を有する半導体チップ1と、樹脂からなるポリイミド・テープ4bおよびこのポリイミド・テープ4bの一方の面に形成された配線層4aによって構成されたテープキャリア4と、チップ端子2と配線層4aとを接続するバンプ3と、少なくとも半導体チップ1とテープキャリア4との間に設けられた樹脂層5と、ポリイミド・テープ4bに形成されたスルーホールを介して配線層4aと接続されたバンプ電極10とを備える。そしてさらに、ポリイミド・テープ4bの他方の面を、バンプ電極10と電気的に接続されることのないようにして、ポリイミド・テープ4b以上の厚さを有する銅箔7によって覆う。
請求項（抜粋）：
チップ端子を有する半導体チップと、樹脂からなる薄板およびこの薄板の一方の面に形成された配線層によって構成されたテープキャリアと、前記チップ端子と前記配線層とを接続するバンプと、少なくとも前記半導体チップと前記テープキャリアとの間に設けられた樹脂層と、前記薄板に形成されたスルーホールを介して前記配線層と接続されたバンプ電極とを備えた半導体装置において、前記薄板の他方の面は、前記バンプ電極と電気的に接続されることのないようにして、前記薄板以上の厚さを有する金属層によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/12 L
