特許
J-GLOBAL ID:200903091606389214

コンデンサー内蔵基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 正行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-203122
公開番号(公開出願番号):特開平6-029420
出願日: 1992年07月06日
公開日(公表日): 1994年02月04日
要約:
【要約】【目的】Siに近い熱膨張係数、高強度及び高誘電率の3特性を兼備して、コンデンサーと絶縁基板との両機能を発揮できるようにする。【構成】絶縁体中にコンデンサーが一体的に内蔵されているものにおいて、前記コンデンサーの誘電体層が炭化珪素SiCを13〜30重量%含有する窒化珪素Si3N4系セラミックスであることを特徴とするコンデンサー内蔵基板。
請求項(抜粋):
絶縁体中にコンデンサーが一体的に内蔵されているものにおいて、前記コンデンサーの誘電体層が炭化珪素SiCを13〜30重量%含有する窒化珪素Si3N4セラミックスであることを特徴とするコンデンサー内蔵基板。
IPC (5件):
H01L 23/12 ,  H01B 3/12 336 ,  H01G 4/12 358 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/46

前のページに戻る