特許
J-GLOBAL ID：200903091607574465
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094126
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310559
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 腐食によるボンディングパット付近の導電層のオープン不良を低減し、信頼性の高い半導体装置を提供することである。【構成】 半導体基板11の主表面側に形成された第一の導電層13と、前記第一の導電層13の少なくとも一部の上面に接して形成されたボンディングパットとなる第二の導電層15とを設けている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面側に形成された第一の導電層と、上記第一の導電層の少なくとも一部の上面に接して形成されたボンディングパットとなる第二の導電層とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
