特許

J-GLOBAL ID：200903091610225013

研磨パッド、化学機械研磨装置、基板表面の平坦化方法、及び半導体デバイス製造方法

発明者： 石川 彰 ,  千賀 達也 ,  アラン・エー・エイヤー
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134529
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319901
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 ウエハ表面に対して光学的にアクセスでき、余り複雑でも高価でもない連続的同時プロセスモニタリングができるCMP装置及び方法を提供する。【解決手段】 CMPの方法及び装置において、回転プラテン上に実質的に円形の研磨パッドが載せられる。光学的透過性を増大させるために、前記研磨パッドの所定の領域が薄厚化される。薄厚化された研磨パッド領域の下に位置する前記プラテンの部分も透明である。前記薄厚化された研磨パッドと前記透明プラテン部分とによって、同時プロセスモニタリングのためのウエハ表面への光学的アクセスが可能となる。光学的モニタリング装置からの入力信号によって、動的プロセス制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

平坦な上面を持つプラテンと、前記平坦な上面に対して平行な加工面を持ち、前記平坦な上面に付された研磨パッドであって、該研磨パッドは第一の面に凹部が形成されて、前記第一の面と反対側の前記研磨パッドの第二の面のうちの前記凹部の近傍に薄厚化された領域を有する研磨パッドと、基板表面を前記加工面に対して近接又は接触させて保持するように配されたキャリアとを有することを特徴とする化学機械研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K

Fターム (9件)：

3C058AA09 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058BA14 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17