半導体集積回路装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061333
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264770
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETを含む半導体集積回路装置と製造方法に関し、エッチングストップ層を用いたコンタクトホールとゲート電極の段差を緩和する2重サイドウォールの形成を両立させる。【構成】半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、その上に第1の絶縁膜を被着し、異方性エッチングしてゲート電極の側壁に第1のサイドウォールを形成し、ゲート電極とサイドウォールをマスクにしてソース領域とドレイン領域を形成し、その上に第2の絶縁膜を被着し、異方性エッチングして第2のサイドゲートを形成し、その上に第2の絶縁膜と実質的に同じエッチングレートを有する第3の絶縁膜を被着し、その上に第4の絶縁膜を被着し、コンタクトホールを第4の絶縁膜まで開け、コンタクトホールの底部に残る第3の絶縁膜と第2の絶縁膜の一部を除去し、コンタクトホールの底面から第4の絶縁膜の上にかけて配線層を形成する。

請求項（抜粋）：

電極または配線を含む集積回路装置において、該電極または配線とその上に形成される第1配線層の間の第1層間絶縁膜が少なくとも2種類の絶縁膜から構成され、該第1層間絶縁膜の最下層の絶縁膜と、それより上層でかつ第1層間絶縁膜を構成する1ないし複数の絶縁膜の間でエッチングレートが異なり、該配線のサイドウォールが2種以上の絶縁膜によって構成され、該サイドウォールを構成する最外側の絶縁膜と該最外側の絶縁膜より内側の絶縁膜の少なくとも1つとは互いにエッチングレートが異なり、該サイドウォールの最外側の絶縁膜のエッチングレートが該第1層間絶縁膜の最下層の絶縁膜のエッチングレートと実質的に同じかそれよりも大きいか、あるいは、同じ絶縁材料によって構成されていることを特徴とする集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/283

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/283 C , H01L 29/78 301 X

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