アニール方法とその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057371
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】バッチ方式のアニール処理において、処理する基板が金属の場合と絶縁物の場合とに応じて、カセットへの基板の積層構造での収納に際し、発生する静電気を抑制するアニール方法とその際に用いるアニール用カセットを提供すること。【解決手段】基板2に金属又は金属の膜形成されている場合は、耐熱カセット3に積層された基板2a...は、所定の積層枚数毎に接地された導体基板20を挟んで積層し、不導体の基板2b...が不導体で形成されている場合には、各々の積層間隔を制御することで電荷を低減または電位を低下させる。

請求項（抜粋）：

複数枚の基板をカセットに区画して積層して加熱炉に収納し加熱するアニール方法において、前記基板が導体の場合又は前記基板に導体が形成されているものの場合に、前記カセットに積層する基板を所定の積層枚数毎に接地された導体基板を挟んで積層することを特徴とするアニール方法。

前のページに戻る