特許
J-GLOBAL ID：200903091616165870
読み出し専用メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-223626
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069298
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 不必要なビット線がチャージされることがなく、またワード線をパルスで立ち上げ、立ち下げる必要もなく、消費電力の削減を図った読み出し専用メモリを提供する。【解決手段】 I/O線24のチャージが開始される時点でその電位がセンスアンプ9の論理閾値電圧以上であればチャージが行なわれず、その後にメモリアレイ5中のメモリセルからの電荷を引き抜くことにより I/O線24の電位がセンスアンプ9の論理閾値電圧を割り込んだ時点でチャージを開始しないチャージ制御回路10を備えている。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタで構成された複数のメモリセルと、複数のワード線と、アドレス信号に従って前記複数のワード線の内の1本を選択する第1のセレクタと、複数のビット線と、前記複数のビット線と出力信号線とをそれぞれ接続する複数のトランスミッションゲートを有し、アドレス信号に従って前記複数のトランスミッションゲートの内の一つがアクティブ状態にされることにより、前記複数のビット線の内の1本を選択する第2のセレクタと、前記第1のセレクタが選択したワード線と前記第2のセレクタが選択したビット線との双方に接続するメモリセルの値を前記第2のセレクタの出力信号線から読み出す読み出し回路と、前記第1のセレクタによるワード線の選択と前記第2のセレクタによるビット線の選択とが完了した後に、前記出力信号線のチャージを指示する制御信号線と、前記制御信号線から与えられる指示に従って前記出力信号線を電源電位と接続してチャージすることにより、前記第2のセレクタのアクティブ状態にされているトランスミッションゲートを介して前記選択されているビット線をチャージする手段と、前記出力信号線の電位が前記読み出し回路の論理閾値電圧を越えた時点で、前記出力信号線を電源電位から遮断してチャージを終了させる手段とを有するチャージ制御回路とを備えたことを特徴とする読み出し専用メモリ。
引用特許：
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