特許
J-GLOBAL ID：200903091617510880
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211551
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054701
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 異種電源で駆動する基本回路を同一半導体基板に有する半導体集積回路装置の過電圧保護性能を向上させる。【解決手段】 電源VCC1 で駆動するインバータINV1 の出力と、電源VCC2 で駆動するインバータINV2 の入力とを信号線S1 によって電気的に接続した場合に、後段のインバータINV2 の入力と電源VCC2 との間および入力と接地電源GNDとの間に、過電圧保護用のダイオードD1,D2 を電気的に接続した。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上に設けられた複数の基本回路を配線によって電気的に直列接続する構造を備える半導体集積回路装置であって、前記基本回路の入力と、基本回路を駆動する高電位の電源および低電位の電源との両方の間に、過電圧保護用のダイオードを逆方向接続となるように電気的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
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