特許

J-GLOBAL ID：200903091618836119

エッチング方法

発明者： 城崎 友秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113566
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307512
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 反応生成物の除去工程と洗浄工程を省いても、酸化膜と窒化珪素膜を積層した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッチング方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るエッチング方法は、窒化珪素膜304とその上に形成された酸化膜303からなる積層膜をエッチングするものである。このエッチング方法は、C4 F8 系ガス306aで該酸化膜303のエッチングを開始し、該窒化珪素膜304が露出する前に該C4 F8 系ガスでのエッチングを停止する工程と、エッチングガスをC4 F8 系ガス306aからCHF3 系ガス306bに切り替えて残った酸化膜303と該窒化珪素膜304をエッチングする工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層を有する積層膜をエッチングする方法であって、第1のエッチングガスで上層のエッチングを開始し、下層が露出する前に該上層のエッチングを停止する工程と、第2のエッチングガスで残った上層と該下層をエッチングする工程と、を具備することを特徴とするエッチング方法。