特許
J-GLOBAL ID：200903091621166329
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162334
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315590
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 プログラムベリファイやイレーズベリファイに要する時間を短縮する。再書き込みや再イレーズしても、しきい値電圧が変化しすぎないようにする。【構成】 プログラム後及びイレーズ後に、プリチャージしたビット線の電位の変化から、プログラム及びイレーズが適正に行われたか否かを、全てのビット線について、カラムアドレスを変化させることなく、一括して判断する。再書き込みに当っては、一旦データが適正に書き込まれたメモリセルについては、再度データが書き込まれないようにするため、データレジスタ内のデータを変えて、再書き込みを行う。
請求項（抜粋）：
ほぼマトリクス状に配置された複数のメモリセルを有し、複数のワード線の1つによって行方向に並ぶ前記メモリセルを活性化し、活性化した前記各メモリセルに対するデータの消去及びデータの入出力を列方向に走る複数のビット線のうちの対応する1つのものによって行うようにした半導体記憶装置において、前記メモリセルのしきい値電圧を正方向に移動させるデータ書き込み後の書き込みベリファイ時に、前記各ビット線をプリチャージするプリチャージ手段と、前記メモリセルに、前記書き込みが適正に行われたときと行われないときとにおける、前記プリチャージ後のビット線の電位の違いに対応した出力を出力する、前記各ビット線毎に設けられた、ビット線電位出力手段と、前記全てのビット線電位出力手段からの出力が、書き込みが適正に行われたことを示すときにのみ書き込み完了の信号を出力する、一括ベリファイ手段と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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