特許
J-GLOBAL ID：200903091624517416
圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-552248
公開番号（公開出願番号）：特表2009-517331
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
本発明は、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法に関し、より詳細には、蒸着された薄膜を熱処理時引き起こされる圧縮応力を用いて、単結晶ナノワイヤを製造する方法に関する。このため、基板を提供するステップと、該基板の上に該基板との熱膨張係数の差が2x10-6/°C以上の物質の薄膜を設けるステップと、該薄膜の設けられた基板を熱処理して該膜に該基板との熱膨張係数の差による引張応力を引き起こすステップと、該基板を冷却させることによって該膜に圧縮応力が引き起こされ、該物質の単結晶ナノワイヤが成長するようにするステップとを含む、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
中間層がその上に設けられた基板を提供するステップと、
前記中間層との熱膨張係数の差が2x10-6/°C以上の物質の薄膜を前記中間層の上に設けるステップと、
前記薄膜の設けられた基板を熱処理して、前記膜に基板との熱膨張係数の差による引張応力を引き起こすステップと、
前記基板を冷却させることによって前記膜に圧縮応力が引き起こされ、前記物質の単結晶ナノワイヤが成長するようにするステップとを含む、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G077AA04
, 4G077AB09
, 4G077BA01
, 4G077BA07
, 4G077CA03
, 4G077CA10
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077EF02
, 4G077FG02
, 4G077HA20
, 4G077JA03
, 4G077JB08
