特許
J-GLOBAL ID：200903091627551666
II-VI族化合物半導体結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319931
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157999
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にボイドのない結晶性に優れたII-VI族化合物半導体結晶の成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 種結晶の表面を成長室の開口部に密着させ、その表面に原料多結晶から原料ガスを供給し、成長室に面していない種結晶の裏面及び/又は側面には成長室から分離された経路を通じて原料ガスを供給しながら結晶成長を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法である。
請求項（抜粋）：
成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶の表面を前記成長室の開口部に密着させ、その表面に原料多結晶から原料ガスを供給し、成長室に面していない前記種結晶の裏面及び/又は側面には成長室から分離された経路を通じて原料ガスを供給しながら結晶成長を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/48
, C30B 23/00
, H01L 21/203
, H01L 21/363
C30B 29/48
, C30B 23/00
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/363
