半導体製造装置の温度制御装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：守山辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157634
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335340
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】デジタルフィルタの遅延による弊害を抑制して、温度検出器からの検出信号をデジタルフィルタによりフィルタリングする半導体製造装置の温度制御装置を提供する。【解決手段】基板3をヒータ5により加熱して所定の処理を施す半導体製造装置1において、温度検出器8、9によって加熱温度を検出し、この検出信号をA/D変換部12でデジタル信号へ変換してデジタルフィルタ14へ出力する。デジタルフィルタ14は入力された信号をフィルタリングして、フィルタリングした出力信号をサイリスタ11へ出力し、サイリスタ11が入力された信号に応じてヒータ5へ供給する電力を調節する。このデジタルフィルタ14はフィルタリングの遅延量に対応する時定数Tを有しているが、この時定数は制御部15により半導体製造装置1が実行している処理ステップに応じて変更される。

請求項（抜粋）：

処理対象の基板をヒータにより加熱して所定の処理を施す半導体製造装置において、前記加熱温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段による検出信号をデジタル信号へ変換するアナログ・デジタル変換手段と、前記アナログ・デジタル変換手段からの出力信号をフィルタリングするデジタルフィルタと、前記デジタルフィルタの時定数を前記半導体製造装置が実行している処理ステップに応じて変更してフィルタリングに要する遅延時間を変更させる時定数変更手段と、前記デジタルフィルタからの出力信号に応じて前記ヒータへ供給する電力を調節する電力調節手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置の温度制御装置。

IPC (7件)：

H01L 21/324 , C23C 16/46 , C23C 16/52 , G05D 23/22 , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 , H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/324 T , C23C 16/46 , C23C 16/52 , G05D 23/22 Z , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 A , H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-165642
特表平3-500717
特開昭53-114653

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