特許
J-GLOBAL ID：200903091628112640
パターン化反応イオンエッチングを用いたファイバープローブ装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-315401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-209308
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、パターン化反応イオンエッチングを用いたファイバープローブ装置の製造方法に関する。【構成】 ファイバープローブは被覆光ファイバー部分により形成されており、内部コア部分(18)と、ファイバー部分の下部に等方性を有したエッチングを施し、引き続きその結果としてエッチングが施された下部を切断することによって生じる、外部被覆部分(10)とを有している。ファイバーに生じた切断末端面は後にパターン化される保護層(40)により覆われ、ファイバーコア(18)に伝わる光放射線への露光によってパターン保護層(42)を形成し、引き続いて現像される。このように、パターン保護層によってマスクされたプラズマエッチングは、切断末端面の近傍で所望の被覆高さ(h)分だけ取り除く。結局、ファイバー下部はさらなるエッチングを施され、最終的に先端幅を要求値(w)まで減じる。
請求項（抜粋）：
パターン化反応イオンエッチングを用いたファイバープローブ装置(図6)の製造方法において、(a)内部円柱コア部分(図2の18)と、外部被覆部分(10)とを有したファイバー部分を提供し、内部部分は、工程(e)に記載される光学的放射線を制限する導波特性を有しており、工程(f)に記載されるパターン化ホトレジスト層(42)を限定する工程と、(b)第一の所定時間の間、ファイバーの下部をエッチングすることにより、ファイバーより薄い下部円柱部分(14)が残留する工程と、(c)このファイバー部分より薄い下部円柱部分を切断することにより、切断末端面を有した切断された薄い下部円柱部分(16)が形成される工程と、(d)切断した末端面の少なくとも表面全体を保護ホトレジスト層(40)でコーテイングする工程と、(e)光放射線をファイバーのコア部分に連結することにより、光放射線がコア部分に伝わり、切断末端面のファイバーコア部分を覆っている保護ホトレジスト層部分上に入射する工程と、(f)保護ホトレジスト層を現像することにより、ホトレジスト層が、切断末端面に位置したコア部分を覆うパターン化ホトレジストマスキング層(42)となる工程と、(g)第二の所定時間の間、異方性を有するドライエッチングを切断末端面に行うことにより、切断した末端面に位置するコア部分の、少なくとも一部分(19)の高さが変わらないうちに、切断末端面に近接する被覆部分素材の所定の高さ(h)分が取り除かれる工程と、(h)第三の所定時間の間、ファイバー部分の少なくとも切断した薄い下部のコア部分に基本的に等方性を有するエッチングを施すことにより、所定の最大幅(w)を有した先端部分が、切断した薄い下部円柱部分に形成される工程とを有することを特徴とするパターン化反応イオンエッチングを用いたプローブ装置の製造方法。
IPC (2件)：
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