特許
J-GLOBAL ID：200903091628250520
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277498
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139191
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】p-n接合の逆方向電流を利用した電源電圧の供給を行なう半導体装置において、低電圧での電流供給を可能とすることにより、低消費電力及び低電圧動作の可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】第1シリコン導電配線層上に、フォトレジストをマスクとして異なる導電型不純物の浅い接合を形成し、その上部に前記導電型不純物を含有する第2シリコン導電配線層を形成し、p-n接合とする。また、第1シリコン導電配線層に、不純物濃度のピークが第1シリコン導電配線層の膜厚の5分の1以下で第1シリコン導電配線層の表面に形成される第2導電型不純物層を有すること等。【効果】第1シリコン配線層と第2シリコン配線層の間の開孔部面積と同程度の面積を有するp-n接合が形成できる。シリコン多層配線構造を具備し、メモリセルを構成する負荷としてのTFTを用いるSRAM等に有効である。
請求項（抜粋）：
シリコン多層配線間の接続にp-n接合を使用する半導体装置において、半導体基板上方に形成され第1導電型不純物を有する第1シリコン導電配線層、前記第1シリコン導電配線層上にシリコン酸化膜を介して形成された第2導電型不純物を有する第2シリコン導電配線層、前記第1シリコン導電配線層と前記第2シリコン導電配線層を接続する為の前記シリコン酸化膜に設けられた開孔部の前記第1シリコン導電配線層上に浅く形成された第2導電型不純物層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 27/10 371
