特許

J-GLOBAL ID：200903091636259480

半導体装置およびその製造方法

発明者： 西井 勝則 ,  國久 武人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182578
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037906
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 工程数を削減したGaAsMESFETの製造方法を提供する。【構成】 半絶縁性GaAs基板1にn型活性層2を形成し、高融点金属薄膜WSiを全面に形成した後、前記n型活性層2上の前記高融点金属を加工し高融点金属ゲート電極3を形成する。次に前記ゲート電極3の両側にソース・ドレイン電極形成のためのソース・ドレイン高濃度n型領域5を形成し、アニールを行う。その後、全面に表面保護のため絶縁膜5をシリコン窒化膜で形成し、高濃度n型領域14上および高融点金属ゲート電極4上にオーミック金属6AuGe、Ni、Auを順次形成する。その後、アロイにより、ソース・ドレインオーミック電極7およびゲート金属8を形成し、GaAsMESFETを完成する。

請求項（抜粋）：

高融点金属ゲートを用いた電界効果トランジスタにおいて高融点金属ゲート電極上にオーミック電極金属を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-053235
  
• 特開平2-299246
  
• 特開平1-089467
  
• 特開平1-198079