特許

J-GLOBAL ID：200903091638414881

CCD型固体撮像素子

発明者： 野村 秀雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-203999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054739
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 CCD型固体撮像素子において、ブルーミングマージンを低減することなく読み出し電圧を従来よりも低くて済むようにする。【解決手段】 N型垂直転送レジスタ6の底面側に位置されたP+ 型半導体ウェル7が少なくともP--型読み出しゲート部8の下方に位置する部分まで延設(7a)されてなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の第1導電型半導体領域内に、画素を成す第2導電型受光素子が多数水平方向及び垂直方向に配設され、各隣接受光素子垂直列間に第2導電型垂直転送レジスタが配設され、該各第2導電型垂直転送レジスタの底面側に上記第1導電型半導体領域よりも不純物濃度の高い高濃度第1導電型ウエルを有し、各上記受光素子と上記垂直転送レジスタとの間に読み出しゲート部を有するCCD型固体撮像素子において、上記第2導電型垂直転送レジスタの底面側に位置された高濃度第1導電型ウエルが少なくとも上記第1導電型読み出しゲート部の下方に位置する部分まで延設されてなることを特徴とするCCD型固体撮像素子。