特許

J-GLOBAL ID：200903091639807356

同軸構造の配線の形成方法

発明者： 高橋 良郎 ,  烏野 ゆたか ,  小澤 進 ,  井口 泰男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297590
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 同軸構造の配線を、従来より高密度にかつ少ない工程数で形成できる方法を提供する。【構成】 凹部23a を有する誘電体の構造体23x を形成する。この構造体23x 上にシールド用導体の一部を形成するための第1の導体薄膜27を形成する。第1の導体薄膜27の形成が済んだ構造体23x の凹部23a に、絶縁膜の一部となる誘電体膜29を形成する。この誘電体膜29上に芯線導体37を形成する。芯線導体37の形成が済んだ試料上に、同軸構造の配線における絶縁膜の残りの部分となる誘電体膜39a を形成する。この誘電体膜39a 表面に、第1の導体薄膜27に接し、シールド用導体の残りの部分となる第2の導体薄膜43を形成する。

請求項（抜粋）：

下地基板上に、芯線導体を絶縁膜で覆い該絶縁膜をシールド用導体で覆った構成の同軸構造の配線を、形成するに当たり、凹部を有する誘電体の構造体を形成する工程と、該凹部を有する誘電体の構造体上に、シールド用導体の一部を形成するための第1の導体薄膜を、形成する工程と、該第1の導体薄膜の形成が済んだ構造体の前記凹部に、絶縁膜の一部となる誘電体膜を形成する工程と、前記凹部に形成された誘電体膜上に芯線導体を形成する工程と、芯線導体の形成が済んだ試料上に、前記絶縁膜の残りの部分となる誘電体膜を形成する工程と、該残りの部分となる誘電体膜表面に、前記第1の導体薄膜に接し、前記シールド用導体の残りの部分となる第2の導体薄膜を、形成する工程とを含むことを特徴とする同軸構造の配線の形成方法。

IPC (3件)：

H05K 9/00 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-013936
  
• 印刷配線板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323543   出願人：富士通株式会社