特許
J-GLOBAL ID：200903091640503239
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105254
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293658
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】スピンオン液塗布後、ウェハー円周部分及び、オリフラ部の周辺塗布膜を除去し、ウェハー周辺からの塗布膜剥れゴミ発生を防止する。【解決手段】スピンオン液塗布後、ウェハーを傾斜させるため、スピンチャック2が傾斜するようにする。これにより傾斜したウェハーOF部周辺部に、ノズル6よりエッジリンス液を滴下し、OFに沿ってノズルを移動させて周辺部の塗布膜を除去する。
請求項（抜粋）：
ウェハー支持台上に水平に支持された半導体ウェハー上にスピンオン液を塗布した後、ウェハーを回転しながらノズルよりアルコール等の塗布膜溶剤(以下エッジリンス液と記す)を供給して、ウェハー円周部周辺塗布膜を除去する工程と、ウェハー回転を停止し、オリエンテーション・フラット位置を合わせた後、ウェハーを傾斜させオリエンテーション・フラット部分にエッジリンス液を供給してオリエンテーション・フラット部の周辺塗布膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 577
, G03F 7/16
