特許
J-GLOBAL ID:200903091640668823

透明導電性膜の形成方法、その装置、透明導電性膜および電子ペーパー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村上 友一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-322272
公開番号(公開出願番号):特開2003-123559
出願日: 2001年10月19日
公開日(公表日): 2003年04月25日
要約:
【要約】【課題】 被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することが可能な、透明導電性膜の形成方法の提供を目的とする。【解決手段】 ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により、基板の表面にITOの被膜を形成する構成とした。また、ガス化したチオフェンを原料として、プラズマCVD法により、基板の表面にポリチオフェンの被膜を形成する構成とした。なおプラズマCVD法は、アルゴンガスに対する放電を介して行う構成とした。また被処理部材は、有機材料からなる構成としてもよい。
請求項(抜粋):
透明導電性膜の構成物を含む蒸気圧の高い材料をガス化して原料に使用し、プラズマCVD法により、被処理部材の表面に透明導電性膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の形成方法。
IPC (4件):
H01B 13/00 503 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/509 ,  H01B 5/14
FI (4件):
H01B 13/00 503 B ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/509 ,  H01B 5/14 A
Fターム (16件):
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA45 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC05 ,  5G323BA03 ,  5G323BB03 ,  5G323BB06

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