固体撮像素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236842
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094699
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】固体撮像素子における暗電流、Qsむら、スミア成分の低減化を図る。【構成】単結晶半導体基板(42,43)内に受光部(光電変換素子)32及び電荷転送部33が設けられてなる固体撮像素子において、受光部32の正電荷蓄積領域48の全域上に之に接するように、ITO等よりなる透明導電膜53を形成し、この透明導電膜53を接地されるAl遮光膜56に接続して構成する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基体に光電変換素子と電荷転送部が設けられてなる固体撮像素子において、上記光電変換素子の直上に該光電変換素子に接して接地された透明導電膜が形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。

前のページに戻る