特許

J-GLOBAL ID：200903091645042973

化合物半導体層の成長方法

発明者： 杵築 弘隆 ,  梶川 靖友
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316481
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172056
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に、該半導体基板と格子定数の異なる材料からなる化合物半導体層を結晶性よくエピタキシャル成長させることができる化合物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。【構成】 CdTe基板1上にGaN層2をエピタキシャル成長させて半導体積層構造2を得る。

請求項（抜粋）：

CdTe(カドミウムテルル)からなる半導体基板の一主面上に、V族元素がN(ナイトライド)からなるIII-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程を備えたことを特徴とする化合物半導体層の成長方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18